L`immagine è solo un riferimento
BSC750N10NDGATMA1
- descrizione :
- MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
- pacchetto :
- PG-TDSON-8
- Questa parte è conforme alla normativa RoHS
- scheda tecnica (1)
- Aggiungi ai preferiti
- Aggiungi al confronto
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 3.2A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 100V
- FET Feature :
- Standard
- FET Type :
- 2 N-Channel (Dual)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 11nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 720pF @ 50V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 8-PowerVDFN
- Packaging :
- Cut Tape (CT)
- Power - Max :
- 26W
- Rds On (Max) @ Id，Vgs :
- 75 mOhm @ 13A，10V
- Series :
- OptiMOS
- Supplier Device Package :
- PG-TDSON-8
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 4V @ 12μA
