6A10-TP
- descrizione :
- DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
- pacchetto :
- R-6
- Questa parte è conforme alla normativa RoHS
- scheda tecnica (1)
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- Capacitance @ Vr,F :
- 150pF @ 4V,1MHz
- Current - Average Rectified (Io) :
- 6A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 10μA @ 1000V
- Diode Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature - Junction :
- -55°C ~ 125°C
- Package / Case :
- R6,Axial
- Packaging :
- Tape & Reel (TR)
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Series :
- -
- Speed :
- Standard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
- Supplier Device Package :
- R-6
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 1000V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 950mV @ 6A