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HUFA76413DK8T
- descrizione :
- MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
- pacchetto :
- 8-SO
- Questa parte è conforme alla normativa RoHS
- scheda tecnica (1)
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- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 5.1A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 60V
- FET Feature :
- Logic Level Gate
- FET Type :
- 2 N-Channel (Dual)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 23nC @ 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 620pF @ 25V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 8-SOIC (0.154"，3.90mm Width)
- Packaging :
- -
- Power - Max :
- 2.5W
- Rds On (Max) @ Id，Vgs :
- 49 mOhm @ 5.1A，10V
- Series :
- UltraFET
- Supplier Device Package :
- 8-SO
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 3V @ 250μA
